全国100所名校最新高考模拟示范卷理综1 答案

全国100所名校最新高考模拟示范卷理综1 答案，目前答案易对网已经整理了全国100所名校最新高考模拟示范卷理综1 答案的各科答案和试卷，更多联考试卷请关注本网站。

32.【答案】(1)X(1分)子代雌、雄株中关于花顶生和花腋生性状的表现不同(2分)(2)1/24(1分)(3)BBXX或BBXX(2分)将子代中多株高茎花顶生雌株分别与矮茎花腋生雄株杂交，统计每个杂交组合后代的表现型及比例(1分)若某个杂交组合的后代表现为高茎花顶生：高茎花腋生=1：1，则基因型为BBXX的个体致死：若某个杂交组合的后代全表现为高茎花顶生，则基因型为BBXX的个体致死（合理即可，2分）(4)1：2(1分)【必备知识】避传规律、伴性遗传【解题思路】(1)分析表格信息，子代雄株中高茎：矮茎=3：1，花顶生：花腋生=1：1：雌株中高茎：矮茎-5：2，全为花顶生，雌株和雄株中花所生位置的表现不同，因此控制花所生位置的基因位于X染色体上。(2)根据上述子代的表现型分析，亲本的基因型为BhXX",BhXY,子代高茎花顶生雄株的基因型为1/3BBXY、2/3BhXY,矮茎花顶生雌株的基因型为1/2bbXX°、1/2 bbXX,二者随机交配，则后代中矮茎花腋生雄株所占的比例为2/3×1/2×1/2×1/4=1/24。(3)分析表中数据，子代中四种表现型比例不为9：3：3：1而是8：3：3：1，高茎花顶生雌株少一份，可能是BBXX或BBXX致死。若要判断是哪种基因型致死，可使子代中的高茎花顶生雕株分别与矮茎花腋生雄株杂交，统计每个杂交组合后代的表现型及比例。子代中高茎花顶生雌株的基因型可能是BXX°、B卧XX、BBX XE或BBXX。基因型为B劭X2X和BbXXE的植株与基因型为bbXY的植株杂交，后代会出现矮茎：基因型为BBXX和bbXY的植株杂交，后代全为高茎花顶生，若BBXX致死，则后代不会出现该情况；基因型为BBXX”和bbXY的植株杂交，后代为高茎花顶生：高茎花腋生=1：1，若BBXX致死，则后代不会出现该表现型及比例。(4)发生性反转的植株的染色体组成为XY,与雄株(XY)杂交，理论上后代的染色体组成为1/4XX、2/4XY、1/4YY(致死)，在25℃的环境中正常发育，则雌株：雄株=1：2。

35.【答案】(1)3d4s(1分)11(2分)(2)s即3(1分)大(1分)0的原子半径小于C的，则0一Si键的键长小于C一Si键的，键长越短键能越大(2分)(3)设Fe的半径为r,晶胞参数为a,则a2 (2a)2=青品体积红心一6,体心立方堆积3的晶胞中原子个数为8×8 1=2，则原t子占有的体积V。4=2×智，原子的空间利用率为V千2×4mr×333×64r3×100%=68%(2分)低(1分)Fe0和Fe20,均为离子晶体，Fe2·所带电荷数小于Fe3 ,且Fe2的半径大于Fe 的，Fe0的晶格能小于Fc03的(2分)(4)FeN(1分)【学科素养】化学观念、思维方法猜有所依2021年全国乙卷第35题对金属原子空间占有率进行了考查，试题相对容易但得分率不是很高，本题考查原子空间利用率的计算，需要考生认真将教材中出现的几种常见堆积方式的空间利用率再进行一次推理记忆。【解题思路】(1)C是24号元素，根据核外电子排布规律可知，基态C原子的核外电子排布式为1s22s22p3s23p3d4s3,所以基态Cr原子的价电子排布式是3d45'。s电子云轮廓图呈球形，中心对称无伸展方向：P电子云轮廓图呈纺锤形，3个伸展方向：d电子云轮廓图呈花瓣形，5个仲展方向。基态Fe原子中2p、3p、3d决定伸展方向，电子云伸展方向个数是3 3 5=11。(2)C形成4个单键，杂化方式为sp:0的原子半径小于C的，因此0一Si键的链长小于C一Si键的，键长越短键能越大，故0一Si键的键能大于C一Si键的键能。(3)F0和Fe0,均为离子晶体，Fe2*所带电荷数小于Fe ,且Fe2·的半径大于Fe3 的，所以FeO的晶格能小于FeO3的，故Fe0的熔点低于Fe,O3的。(4)该晶胞中e原子的个数为8×日 6×；=4，N原子的个数为1，则该铁氮化合物的化学式为Fe,N:设晶胞参数为6m则n=6 4,b-2N则氮原子与顶点铁原子之间的核间距为受6m:号238VPYcm.